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强耦合量子阱中的库仑阻力：多体关联的温度依赖性

DOI：10.1063/1.5116803 期刊：Applied Physics Letters 出版年份：2019 更新时间：2025-09-11 14:15:04
摘要： 我们研究了强耦合GaAs/GaAlAs双量子阱中多体关联的温度依赖性对空穴-空穴库仑拖曳效应的影响。通过经典映射超链近似方法，我们获得了任意温度下的关联函数。将由此得到的拖曳电阻率qD(T)在不同密度下的温度依赖性与假设关联函数固定在零温时的计算结果进行对比，并与完全忽略关联的情况相比较后，我们确认关联效应会显著增强拖曳作用。研究发现拖曳效应对2倍费米温度（2TF）的温度依赖性变得敏感。我们的计算结果与现有实验数据高度吻合。
作者： M. Zarenia，S. Conti，F. M. Peeters，D. Neilson
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研究概述 实验方案

研究目的

研究强耦合GaAs/GaAlAs双量子阱中多体关联的温度依赖性对空穴-空穴库仑拖曳效应的影响。

研究成果

研究证实，在GaAs双量子阱中，多体关联效应显著增强了空穴-空穴拖曳效应。当温度高于2TF时，关联效应的温度依赖性变得重要，此时拖曳横向电阻率qD(T)与实验数据高度吻合。该研究表明，在T > 2TF条件下，关联效应的温度依赖性可通过实验检测到。

研究不足

该研究限于温度T ≥ 20 K以忽略声子效应，并聚焦于具有薄势垒的强耦合GaAs双量子阱。虽考虑了无序效应，但可能无法完全涵盖所有实验条件。

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