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基于电子耗尽型氧化锌纳米墙的宽带光电探测器

DOI：10.1109/LPT.2019.2940881 期刊：IEEE Photonics Technology Letters 出版年份：2019 更新时间：2025-09-11 14:15:04
摘要： 原始ZnO材料已被广泛报道用于高响应度紫外光电探测器应用。然而其可见光及近红外区域的光响应通常较差。本文展示了一种简单且经济高效的原始ZnO蜂窝状纳米结构宽带（200-950nm）高响应度光电探测器制备方法。该器件在10V偏压下的暗电流低至5.6pA，在300nm波长（-10V偏压下测量）时获得最大光电流/暗电流比约3.2×10^7。计算得出器件的线性动态范围高达128.9dB。在-10V偏压下，其最大比探测率、光响应度及外量子效率（@300nm）分别达到2.07×10^15 cm·Hz^1/2·W^-1、115 A·W^-1和47,583%，与现有商用宽带光电探测器性能相当。
作者： Jitesh Agrawal，Tejendra Dixit，I. A. Palani，Vipul Singh
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研究概述 实验方案 设备清单

研究目的

研究基于原始ZnO蜂窝状纳米结构的高响应度宽带（200纳米-950纳米）光电探测器的合成与性能。

研究成果

基于原始氧化锌蜂窝状纳米结构的宽带光电探测器展现出极高的响应度、探测率、线性动态范围和外部量子效率，使其成为未来光电子应用的潜在候选器件。该器件性能与现有商用宽带光电探测器相当，同时降低了复杂度和成本。

研究不足

技术和应用方面的限制包括合成蜂窝状纳米结构的复杂性，以及在整个宽带光谱范围内优化设备响应时间和效率的潜力。

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