研究目的
利用原位透射电子显微镜（In-Situ TEM）研究一维硅纳米线的形成机制，以理解材料的结构-性能关系。
研究成果
研究得出结论：一维硅纳米线的形成始于原子在界面处侵入硅晶格，该过程通过后续原子的持续侵入而推进。热力学分析支持这一机制。该研究强调了原位透射电镜技术在理解纳米材料形成中的重要性，并建议进一步研究以探索优化纳米线生长的条件。
研究不足
技术限制包括透射电子显微镜的分辨率极限以及样品在电子束下可能受到的损伤。可优化的领域包括提高分辨率和尽量减少样品损伤。
2016年欧洲显微镜学大会：会议录 || 原位高分辨透射电镜观测揭示的结构转变
DOI：10.1002/9783527808465.emc2016.6876
出版年份：2016
更新时间：2025-09-11 14:15:04
摘要：
随着原位透射电子显微镜（In-Situ TEM）技术的最新进展，它已成为理解材料结构-性能关系的关键手段。本研究证实，一维硅纳米线的形成机制始于界面处原子向硅晶格的侵入，且该形成过程通过界面原子侵入硅晶格而推进。我们还通过热力学分析探讨了一维硅纳米线的形成机制。研究发现，一维硅纳米线形成于界面三相点区域，其形成过程同样由界面原子侵入硅晶格推动。该形成机制也通过热力学分析进行了讨论。
作者：
Yao Li
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