研究目的
提出一种策略，在全无机溴化铯铅（CsPbBr3）钙钛矿发光二极管（PeLEDs）中生长表面修饰的氧化亚铜（Cu2O）纳米颗粒作为高效空穴注入层（HIL），并通过调整其导带和价带边缘能量来提升器件性能。
研究成果
研究表明，采用不同配体对Cu2O纳米颗粒进行表面修饰可调控其导带与价带边缘能级，从而影响钙钛矿-空穴注入层界面的能带排列，进而提升PeLED器件效率。以EDT封端Cu2O纳米颗粒修饰的空穴注入层展现出最佳性能，这凸显了能带工程化空穴注入层在PeLED器件结构中的重要性。
研究不足
该研究聚焦于Cu2O纳米颗粒的改性及其作为PeLEDs空穴注入层（HIL）的应用。若采用蒸镀TPBi层作为电子注入层（EIL）并搭配双层LiF/Al阴极，器件性能或可进一步提升，但为保持器件的完全溶液加工特性，未对此进行探究。
1：实验设计与方法选择：
本研究涉及Cu2O纳米颗粒的合成、不同配体表面修饰及PeLED器件制备。通过表面修饰调控纳米颗粒的带边能级，从而影响钙钛矿-空穴注入层界面的能带排列。
2：样品选择与数据来源：
以CsPbBr3钙钛矿纳米晶作为发光层，Cu2O纳米颗粒作为空穴注入层，并采用不同配体（硫醇或硅烷）进行表面修饰。
3：实验设备与材料清单：
材料包括五水合硫酸铜、氢氧化钠、L-(+)-抗坏血酸、多种配体、碳酸铯、溴化铅等；设备包含岛津UV-2550紫外分光光度计、Horiba Jobin Yvon Fluoromax-4荧光光谱仪、布鲁克D8高级X射线粉末衍射仪、日本电子JEM-2100F透射电镜及Nanosurf easyScan2扫描隧道显微镜。
4：实验流程与操作步骤：
实施Cu2O纳米颗粒合成、表面修饰及PeLED器件制备，并通过电流-电压特性与电致发光测试对器件进行表征。
5：数据分析方法：
采用扫描隧道谱（STS）探测纳米颗粒的带边能级，将PeLED性能与异质结能带图谱相关联。
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