4H碳化硅晶圆激光烧蚀过程中重铸行为的探究
DOI:10.1016/j.mssp.2019.104701
期刊:Materials Science in Semiconductor Processing
出版年份:2020
更新时间:2025-09-11 14:15:04
摘要:
4H碳化硅(SiC)是适用于高速功率器件的半导体材料,同时也是一种典型的难加工硬脆材料。激光烧蚀是加工SiC的有效方法,但重铸层是激光烧蚀过程中不可避免的热损伤。本研究通过实验与数值模拟相结合的方法,探究了4H-SiC激光烧蚀过程中的重铸行为。重铸凸起高度为1.4-3.3微米,宽度为12-22微米,其成分包含SiC、Si和SiO2(检测到15.08 wt%的氧元素)。扫描电镜观察显示重铸凸起上存在微裂纹和孔隙群。熔池中的反冲压力与表面张力主导着重铸凸起的形成过程。5000K温度下Si蒸汽的反冲压力达2.27MPa,相当于大气压的22倍。模拟结果表明熔池中部流体呈环绕流动,周边流体向上流动——上部流动近乎层流,而熔池底部流动呈湍流状态并裹挟空气形成气泡。随着时间推移,熔池中汽化形成的匙孔逐渐加深且侧壁更趋倾斜,同时伴随重铸凸起的"生长"。平均激光功率增大导致重铸高度与宽度增加的主要原因有三:(a)反冲压力升高;(b)熔池温度梯度增大强化了马兰戈尼对流;(c)熔池体积扩大致使更多材料熔化。激光扫描速度降低时,熔池内更多液态材料发生汽化而非向外喷射形成重铸凸起。激光脉冲频率升高会降低峰值激光强度,从而导致反冲压力减小,同时还会减弱激光加热能力并减少可喷射的熔融材料量。
作者:
Shaochuan Feng,Ru Zhang,Chuanzhen Huang,Jun Wang,Zhixin Jia,Jin Wang