研究目的
研究InP/GaInP量子点激光器结构中的锁模条件，以实现双光子荧光成像应用。
研究成果
该研究首次在InP/GaInP量子点材料上实现了锁模激光器，最高频率达15.21 GHz。研究人员探究了该材料的光学增益特性，并针对不同腔长的器件研究了锁模条件。
研究不足
该研究仅限于InP/GaInP量子点激光器结构，未涉及其他材料或构型。锁模条件仅针对特定腔长的器件进行了研究。
1：实验设计与方法选择：
本研究采用InP/GaInP量子点材料制备了两段式窄脊无源锁模激光器，针对不同腔长器件研究了锁模条件。
2：样本选择与数据来源：
激光器结构通过MOCVD在偏离<111>方向10°的n-GaAs(100)衬底上生长。自组装InP量子点被晶格匹配的GaInP量子阱覆盖以形成每个DWELL层。
3：实验设备与材料清单：
样品材料通过电子束光刻和感应耦合等离子体(ICP)刻蚀形成2μm宽的浅刻蚀脊形结构。采用苯并环丁烯(BCB)进行平坦化处理，并使用反应离子刻蚀进行回蚀。沉积Cr/Au作为p型接触金属。
4：实验流程与操作步骤：
制备过程包括图形化、刻蚀、平坦化、接触金属沉积及退火工艺。通过连接电谱分析仪的快速光电探测器测量锁模条件。
5：数据分析方法：
采用分段接触法测定光学增益和吸收光谱，测量并分析锁模脉冲重复频率。
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获取完整内容-
electron beam lithography
Patterning the sample material with 2 μm wide shallow-etched ridges
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inductively coupled plasma (ICP) etching
Etching the sample material
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Benzocyclobutene (BCB)
Planarization step
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reactive ion etching
Etch-back to the ridge-top
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Cr/Au
Deposited as p-contact metals
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fast-photodetector
Measuring the mode-locked pulse repetition frequency
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electrical spectrum analyzer
Analyzing the mode-locked pulse repetition frequency
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