研究目的
利用数值分析工具研究激光制备的氧化石墨烯忆阻器中电阻切换现象的来源。
研究成果
研究得出结论：激光制备的氧化石墨烯忆阻器中的电阻切换现象源于导电细丝的形成与破坏，该结果支持了导电路径化学计量比改变模型。这一发现为采用高精度激光刻写系统实现器件微缩化开辟了新途径。
研究不足
该研究受限于激光制备氧化石墨烯忆阻器技术的早期发展阶段，包括器件性能差异以及进一步规?；璧南冉す夤饪坦ぞ?。
激光制备氧化石墨烯忆阻器中的电阻开关与电荷传输：一种时间序列与量子点接触建模方法
DOI：10.3390/ma12223734
期刊：Materials
出版年份：2019
更新时间：2025-09-11 14:15:04
摘要：
本研究通过结合时间序列统计分析及量子点接触电导模型的两种数值分析工具，探究了近期报道的激光制备氧化石墨烯忆阻器中电阻开关（RS）现象的成因。两种数值分析方法均表明存在连接电极的导电细丝，该细丝可能在导电路径的特定位置发生中断，从而引发电阻开关现象。这些结果支持现有理论模型——即激光制备氧化石墨烯忆阻器的忆阻特性源于氧化石墨烯内部导电路径化学计量比的改变。
作者：
N. Rodriguez，A. Godoy，D. Maldonado，F. J. Romero，F. G. Ruiz，F. Jimenez-Molinos，F. J. Alonso，J. B. Roldan，A. M. Aguilera
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