研究目的
研究薄层InSe光电探测器中光电流产生的机制以及环境条件对其性能的影响。
研究成果
研究表明，在薄层InSe光电探测器中，缺陷诱导的陷阱对光电流产生机制起着关键作用。大气氧物种对硒空位的钝化会降低陷阱密度，通过减少光响应度并提高工作速度来影响光电探测器性能。这为针对特定应用设计和功能化薄层InSe光电探测器提供了一条可控途径。
研究不足
该研究仅限于薄层InSe光电探测器及其在特定环境条件下的性能表现。研究结果可能无法直接适用于其他二维材料或不同的环境暴露情况。
1：实验设计与方法选择：
在不同环境条件下对基于薄层InSe的光电探测器进行光电测量。
2：样品选择与数据来源：
从InSe块体晶体机械剥离得到的薄层InSe薄片。
3：实验设备与材料清单：
源表（Keithley? 2450）、LED光源（Thorlabs?）、原子力显微镜（Nanomagnetics公司的ezAFM）、拉曼显微镜系统（Bruker Senterra）。
4：0）、LED光源（Thorlabs?）、原子力显微镜（Nanomagnetics公司的ezAFM）、拉曼显微镜系统（Bruker Senterra）。 实验步骤与操作流程：
4. 实验步骤与操作流程：光电探测器制备、拉曼光谱测试、真空及空气环境下的光电特性表征、扫描光电流显微镜测试。
5：数据分析方法：
分析光电响应度、响应时间及光电流功率依赖性。
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获取完整内容-
Raman microscopy setup
Bruker Senterra
Bruker Optik?
Recording Raman spectra of thin InSe flakes
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Sourcemeter
Keithley? 2450
Keithley
Electrical measurements (I-V, I-t)
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LED light source
LEDD1B – T-Cube LED driver
Thorlabs?
Providing light source for optoelectronic characterization
-
Atomic force microscope
ezAFM
Nanomagnetics
Measuring the thickness of thin InSe flakes
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