研究目的
研究应变和组分对直接带隙I型GeSn/GeSnSi量子点导带偏移的影响，以实现与CMOS兼容的中红外光源。
研究成果
研究表明，具有81 meV带阶和46 meV直接带隙的I型能带Ge0.75Sn0.25/Ge0.682Sn0.158Si0.16量子点异质结构有望成为兼容CMOS工艺的中红外光源。势垒层中的拉伸应变和硅掺杂可显著提升带阶，该带阶值还随量子点中锡组分含量及量子点尺寸增大而增加。
研究不足
该研究是理论性的，缺乏实验验证。文献中SiSn弯曲参数的差异给计算带来了不确定性。
应变和组分对CMOS兼容中红外光源直接带隙I型GeSn/GeSnSi量子点导带偏移的影响
DOI：10.1088/1361-6641/ab5d89
期刊：Semiconductor Science and Technology
出版年份：2019
更新时间：2025-09-11 14:15:04
摘要：
提出了一种用于中红外光源的I型能带Ge0.75Sn0.25/Ge0.682Sn0.158Si0.16量子点异质结构。通过理论研究应变和组分效应来优化直接带隙GeSn量子点的能带偏移。研究发现，在势垒层中引入拉应变和硅掺杂能有效增大导带能带偏移。此外，量子点中的锡组分和量子点尺寸的增加也有望提高能带偏移量。
作者：
Qimiao Chen，Lin Zhang，Hao Zhou，Wei Li，Bong Kwon Son，Chuan Seng Tan
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