研究目的
比较用于E波段（71-86 GHz）硅基集成电路技术中不同硅衬底，以实现从硅集成电路到金属波导的低损耗、紧凑型无接触过渡。
研究成果
使用高阻抗衬底或中等阻抗衬底制造的集成电路，可以实现硅基集成电路与波导/天线的低损耗集成，因为这些衬底相比低阻抗衬底具有更低的插入损耗。
研究不足
与高阻/中阻衬底相比，低阻衬底的插入损耗更高，这表明在低损耗集成方案中选择衬底时需要权衡利弊。
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[2019年IEEE国际天线与传播研讨会暨USNC-URSI无线电科学会议 - 美国佐治亚州亚特兰大市 (2019.7.7-2019.7.12)] 2019年IEEE国际天线与传播研讨会暨USNC-URSI无线电科学会议 - 基于毫米波频段无接触过渡的硅衬底在IC-波导集成中的性能比较
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DOI：10.1109/APUSNCURSINRSM.2019.8888834
出版年份：2019
更新时间：2025-09-11 14:15:04
摘要：
本文比较了E波段（71-86 GHz）硅基集成电路技术中使用的不同硅（Si）衬底。研究采用了一种独特的低损耗、紧凑型无接触过渡结构，实现硅集成电路（p掺杂衬底）与金属波导的连接。该过渡结构集成了空间功率合成器，使集成电路上贴片阵列的电磁能量能直接耦合至金属波导。该设计能在毫米波（mm-wave）频段实现集成电路与波导和/或天线的高功率传输，且避免了两者之间的电接触。
作者：
Alhassan Aljarosha，Piyush Kaul，A.B. Smolders，Marion Matters-Kammerer，Rob Maaskant
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