研究目的
比较砷化镓谐振器中两种不同的光学限制界面，以确定它们对有源谐振器的适用性。
研究成果
与空气/砷化镓/氧化铝界面相比，空气/砷化镓/空气界面的微谐振器展现出更优的光谱特性和更高的品质因数，这使得它们更适合用作有源谐振器——尽管采用氧化铝界面预计会降低表面复合速度。
研究不足
该研究的局限性在于砷化镓层在高氧化温度下可能发生降解，以及氧化速率对温度和层厚的依赖性。
1：实验设计与方法选择：
本研究通过Al0.9Ga0.1As层的侧向氧化制备圆柱形微谐振器，并比较了GaAs谐振器中两种光学限制界面的效果。
2：9Ga1As层的侧向氧化制备圆柱形微谐振器，并比较了GaAs谐振器中两种光学限制界面的效果。 样本选择与数据来源：
2. 样本选择与数据来源：使用了三种样品，其Al0.9Ga0.1As和GaAs层厚度不同。
3：9Ga1As和GaAs层厚度不同。 实验设备与材料清单：
3. 实验设备与材料清单：分子束外延（MBE）用于外延层生长，标准光刻技术，ICP/RIE干法刻蚀，石英炉用于氧化，锥形光纤系统用于光谱测量。
4：实验步骤与操作流程：
圆柱形台面制备、氧化过程、湿法刻蚀及光学测量设置。
5：数据分析方法：
将实验结果与模拟结果进行比较，以确定模式间隔和品质因数。
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Corning SMF-28c optical fiber
SMF-28c
Corning
Used to fabricate the taper for the tapered fiber system.
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Molecular Beam Epitaxy (MBE)
Used for the growth of epilayers on a semi-insulating (100) GaAs substrate.
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ICP/RIE dry etching system
Used for dry etching using Ar/Cl (16:3.5) in the sample preparation.
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Quartz furnace
Used for the oxidation process of Al0.9Ga0.1As layers.
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Tapered fiber system
Used for obtaining the spectrum of the resonators in the wavelength range between 1470 nm and 1610 nm.
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