1：实验设计与方法选择：

采用射频磁控溅射法从单一四元靶材制备CZTS薄膜。通过优化射频功率、原位衬底温度（ISST）和沉积后退火温度（PDAT）获得单相结晶CZTS。

2：样品选择与数据来源：

使用硅衬底沉积CZTS薄膜。衬底依次经2%氢氟酸与去离子水混合液清洗、丙酮超声处理，并在热风烘箱中干燥。

3：实验设备与材料清单：

射频磁控溅射系统（爱德华兹公司，容量300 l/s）、管式退火炉、X射线衍射仪（XRD）、拉曼光谱仪（英国雷尼绍inVia显微拉曼）、原子力显微镜（Veeco多模8型）、扫描电子显微镜（TESCAN VEGA 3）、X射线能谱仪（EDAX）、高分辨透射电镜（JEOL/JEM 2100）、X射线光电子能谱（FEI PHI 5000 Versa Probe II）、紫外-可见-近红外分光光度计（日本岛津UV-3600 plus）、荧光光谱仪（Jobin Yvon FLUOROLOG-FL3-11）及霍尔测量系统（安捷伦B1500A）。

4：3）、X射线能谱仪（EDAX）、高分辨透射电镜（JEOL/JEM 2100）、X射线光电子能谱（FEI PHI 5000 Versa Probe II）、紫外-可见-近红外分光光度计（日本岛津UV-3600 plus）、荧光光谱仪（Jobin Yvon FLUOROLOG-FL3-11）及霍尔测量系统（安捷伦B1500A）。 实验流程与操作步骤：

4. 实验流程与操作步骤：溅射过程在25 sccm氩气氛围及约6.5×10-3 mbar工作压强下进行，沉积时间60分钟。溅射后薄膜在真空管式炉中经500°C退火处理60分钟。

5：5×10-3 mbar工作压强下进行，沉积时间60分钟。溅射后薄膜在真空管式炉中经500°C退火处理60分钟。 数据分析方法：

5. 数据分析方法：采用XRD和拉曼光谱分析结晶度与物相形成；通过原子力显微镜和扫描电镜研究表面形貌；利用紫外-可见-近红外分光光度计和光致发光光谱测试光学性能；通过霍尔效应测量评估电学特性。