研究目的
研究不同AlGaN电子阻挡层对GaN基垂直腔面发射激光器（VCSELs）光学特性的影响。
研究成果
研究表明，多层电子阻挡层（EBL）结构，尤其是五层EBL，通过减少电子泄漏显著改善了氮化镓基垂直腔面发射激光器（VCSELs）的光学特性。这使得阈值电流密度降低，功率和斜率效率提高，因此五层EBL成为实际应用中的最佳选择。
研究不足
该研究基于模拟结果，可能无法完全反映实际制造和操作中的所有挑战。研究指出，生长具有多层电子阻挡层的外延结构的复杂性是一个潜在限制因素。
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403纳米氮化镓基垂直腔面发射激光器电子阻挡层研究
DOI：10.1007/s11801-019-9024-2
期刊：Optoelectronics Letters
出版年份：2019
更新时间：2025-09-12 10:27:22
摘要：
为了在基于氮化镓的垂直腔面发射激光器（VCSEL）中获得良好的光学特性，引入了不同种类的AlGaN电子阻挡层（EBL）。这些电子阻挡层被相干地插入有源区附近，以限制电子向p掺杂侧的泄漏。研究通过三维光子集成电路模拟器（PICS3D）进行。模拟结果表明，电子阻挡层能有效改善VCSEL的光学特性，所有优势都源于量子阱中电子泄漏的减少。虽然五层电子阻挡层激光器的电压低于七层电子阻挡层激光器的电压，但两者的输出功率大致相同，因此从外延结构更易生长的角度考虑，五层电子阻挡层是综合结构分析的最佳选择。
作者：
CUI Bi-feng，WANG Yang，FANG Tian-xiao，HAO Shuai，CHENG Jin，LI Cai-fang
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