研究目的
研究热退火和化学钝化对紫外发光二极管(UV-LED)光学和电学特性的影响。
研究成果
热处理和化学处理显著提高了紫外发光二极管(UV - LED)的电致发光(EL)强度,其中氮气环境下的热退火显示出最强的增强效果。拉曼光谱和导电原子力显微镜(cAFM)测量证实,这种增强归因于应变弛豫和表面钝化。本研究为生长后处理对光电器件性能的影响提供了见解。
研究不足
该研究未调查经处理的紫外发光二极管的长期稳定性,也未探究处理工艺在工业生产中的可扩展性。
1:实验设计与方法选择:
本研究对紫外LED进行了热退火和化学钝化处理,以探究其对光学和电学特性的影响。
2:样品选择与数据来源:
紫外LED通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)在2英寸图案化蓝宝石衬底上生长。
3:实验设备与材料清单:
设备包括SUSS MA6掩模对准器、Plasmalab System 100 ICP180 ICP-RIE系统、兴南ZZS500电子束蒸发系统,以及奥林巴斯光学显微镜、Veeco dimension 3100 V原子力显微镜(AFM)和雷尼绍inVia Reflex光谱仪系统等多种表征工具。
4:实验步骤与操作流程:
在金属接触沉积前,LED样品依次经过KOH水溶液化学处理和快速热退火(RTA)热处理。
5:数据分析方法:
通过电致发光(EL)光谱、电流-电压(I-V)特性、阴极发光(CL)成像和拉曼光谱分析处理效果。
独家科研数据包,助您复现前沿成果,加速创新突破
获取完整内容-
Veeco dimension 3100 V atomic force microscopy (AFM)
3100 V
Veeco
Used for AFM surface morphologies characterization.
-
SUSS MA6 mask aligner
MA6
SUSS
Used to define the mesas in the LED fabrication process.
-
Plasmalab System 100 ICP180 ICP-RIE system
System 100 ICP180
Plasmalab
Used for reactive ion etching (RIE) of the LED mesas.
-
Xingnan ZZS500 e-beam evaporation system
ZZS500
Xingnan
Used for depositing Ohmic contacts on the LED.
-
Olympus optical microscopy
Olympus
Used for characterizing surface morphologies of the LEDs.
-
Renishaw inVia Reflex spectrometer system
inVia Reflex
Renishaw
Used for investigating strain conditions of the LEDs.
-
登录查看剩余4件设备及参数对照表
查看全部