研究目的
研究MoTe2/锗(Ge)异质结在高性能光电探测器中的高效近红外光探测。
研究成果
MoTe2/Ge异质结光电探测器展现出优异的光电性能，具有高响应度和高比探测率。引入GeO2层显著降低了暗态反向电流，同时保持了良好的光响应性能，使该MoTe2/Ge异质结构有望成为未来高性能光电探测器的理想选择。
研究不足
MoTe2/Ge异质结由于MoTe2与Ge之间势垒较低，在黑暗环境下存在较大反向电流，这限制了性能的进一步提升并增加了功耗。
1：实验设计与方法选择：
本研究涉及MoTe2/Ge和MoTe2/GeO2/Ge异质结的制备与表征，用于近红外光电探测。方法包括机械剥离法制备MoTe2、臭氧氧化法沉积GeO2层以及光刻技术进行器件图案化。
2：臭氧氧化法沉积GeO2层以及光刻技术进行器件图案化。 样品选择与数据来源：
2. 样品选择与数据来源：使用块状2H-MoTe2晶体，Ge衬底经Al2O3沉积与图案化处理。在915 nm激光照射下测量光响应。
3：实验设备与材料清单：
设备包括原子层沉积(ALD)系统、紫外光刻装置、聚二甲基硅氧烷(PDMS)辅助转移法以及Keithley 4200-SCS参数分析仪。材料包含MoTe2、Ge、Al2O3、Pt和Al。
4：Ge、Al2OPt和Al。 实验流程与操作步骤：
4. 实验流程与操作步骤：过程包括在Ge上沉积Al2O3、图案化、转移MoTe2、制备电极以及在激光照射下表征器件。
5：图案化、转移MoTe制备电极以及在激光照射下表征器件。 数据分析方法：
5. 数据分析方法：从光电响应度、比探测率和响应时间三方面分析光响应特性。
独家科研数据包，助您复现前沿成果，加速创新突破
获取完整内容-
Keithley 4200-SCS
4200-SCS
Keithley
Parameter analyzer for electrical and optical properties characterization.
立即获取同款设备 -
Atomic Layer Deposition System
Deposition of Al2O3 on Ge substrate.
暂无现货
预约到货通知
-
Ultra-violet Lithography Setup
Patterning of Al2O3 into square matrix.
暂无现货
预约到货通知
-
登录查看剩余1件设备及参数对照表
查看全部
