研究目的
通过采用GaAs1?xSbx覆盖层对应变耦合双层InAs量子点异质结构进行研究，以实现光致发光发射波长在更宽范围的光通信波长内的调谐。
研究成果
研究表明，具有不同覆盖层厚度和锑含量的GaAs1?xSbx覆盖层的存在会显著影响异质结构中的应变分布，导致光致发光光谱偏移和载流子寿命变化。这种应变耦合的双层InAs/GaAs1?xSbx量子点有望成为长波长光发射器和探测器的候选材料，有利于在整个通信波段范围内调节发射波长。
研究不足
该研究的局限性在于难以实现GaAs1?xSbx覆盖层中锑含量的均匀性和厚度一致性，这可能影响结果的重复性。此外，在高温条件下，高锑含量样品的信噪比较差，限制了可靠测量的温度范围。
1：实验设计与方法选择：
本研究通过生长双层InAs量子点异质结构并采用GaAs1?xSbx覆盖层调控应变，探究其对光致发光发射和载流子寿命的影响。
2：样品选择与数据来源：
样品在半绝缘GaAs(001)衬底上使用Veeco Gen 930分子束外延系统生长。
3：实验设备与材料清单：
Veeco Gen 930分子束外延系统、As2和Sb2阀门裂解源、低温恒温器、532 nm绿色二极管泵浦固态激光器、液氮冷却单像素InSb光电探测器、透射电子显微镜(TEM)、时间相关单光子计数(TCSPC)装置。
4：实验步骤与操作流程：
通过改变GaAs1?xSbx覆盖层的Sb含量和厚度生长样品，在低温下进行光致发光测量，并利用TRPL测量研究载流子动力学。
5：数据分析方法：
分析数据以评估应变调制对光致发光发射波长和载流子寿命的影响。
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获取完整内容-
Veeco Gen 930 Molecular Beam Epitaxy system
Gen 930
Veeco
Used for the growth of bilayer InAs quantum dot heterostructures.
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