研究目的
提出一种金属包覆III-V族半导体腔体与绝缘体上硅(SOI)波导耦合的新型设计，该设计集成反馈支节以实现Q因子的外部调控，并通过数值分析与热建模验证其有效性。
研究成果
所提出的金属包覆III-V族半导体腔体集成反馈短截线，展现出显著的Q因子提升和增强的热性能，使其成为片上光互连和光子集成电路的有前途候选方案。
研究不足
该研究基于数值模拟，缺乏实验验证。文中未解决将此类腔体与绝缘体上硅波导集成的实际制造难题。
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波导耦合金属包覆腔体与集成反馈短截线
DOI：10.7567/JJAP.56.082201
期刊：Japanese Journal of Applied Physics
出版年份：2017
更新时间：2025-09-12 10:27:22
摘要：
我们提出了一种波长量级金属包覆III-V族半导体腔体，该腔体与集成有外部Q因子调谐反馈支节的绝缘体上硅(SOI)波导相耦合。我们研究了一个典型的集成在SOI波导上的波长量级金属包覆InP/InGaAs腔体，实验显示其Q因子提升超过5倍，这与耦合模理论预测结果一致。通过额外的热分析，我们证明通过设计层厚度可以在不明显牺牲光学性能的情况下实现更好的散热效果。
作者：
Kaiyin Feng，Masaya Nishimoto，Chuanqing Yu，Sueda Saylan，Richard J. E. Taylor，Takuo Tanemura，Yoshiaki Nakano
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