研究目的
研究基于SOI晶圆的横向PIN光电二极管将太阳能转化为电能的效率，用于自主超低功耗电路（ULP）。
研究成果
在硅基太阳能电池中加入一层具有不同特性（如锗）的半导体薄层，可以显著提高光伏转换效率。硅上覆盖锗层的器件表现最佳，其发电量超过纯硅电池。
研究不足
该研究专注于数值模拟，除与先前发表的数据进行对比外，未包含实验验证。模拟未考虑半导体中的表面复合和界面复合效应。
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[IEEE 2019年第34届微电子技术与器件研讨会(SBMicro) - 巴西圣保罗 (2019.8.26-2019.8.30)] 2019年第34届微电子技术与器件研讨会(SBMicro) - 用于太阳能电池应用的多层横向SOI PIN光电二极管
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[IEEE 2019年第34届微电子技术与器件研讨会(SBMicro) - 巴西圣保罗 (2019.8.26-2019.8.30)] 2019年第34届微电子技术与器件研讨会(SBMicro) - 用于太阳能电池应用的多层横向SOI PIN光电二极管
DOI：10.1109/SBMicro.2019.8919314
出版年份：2019
更新时间：2025-09-12 10:27:22
摘要：
本文通过数值模拟研究了一种基于SOI晶圆的横向PIN光电二极管。该器件可作为嵌入CMOS电路的太阳能电池，用于实现自主超低功耗电路(ULP)。通过分析不同半导体材料及结构下的效率特性，以获得最佳性能。结果表明，采用具有不同禁带宽度、迁移率和光吸收特性等特征的异质半导体层，可提升器件发电能力，表明该电池能为需要更大功率的电路供电。
作者：
F. A. da Silva，R. T. Doria，M. G. C. de Andrade
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