研究目的
本工作的目的是在基于氯气的气体混合物中，为磷化铟基异质结构开发一种感应耦合等离子体刻蚀工艺。所开发的工艺应能形成具有高纵横比和平滑表面形貌的光波导结构。
研究成果
针对磷化铟基异质结构开发的Cl2/Ar/N2等离子体ICP刻蚀工艺，在无需衬底预加热的条件下实现了高各向异性与光滑表面形貌，适用于制备磷化铟基光电器件中高深宽比的波导结构。
研究不足
该过程需要精确控制气体混合物成分和蚀刻参数，以实现所需的蚀刻速率和表面形貌。无需对基板进行预热，从而扩大了设备选择范围。
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[IEEE 2019年第20届微纳技术与电子器件青年专家国际会议(EDM) - 俄罗斯阿尔泰共和国埃尔拉戈尔 (2019.6.29-2019.7.3)] 2019年第20届微纳技术与电子器件青年专家国际会议(EDM) - 基于等离子体刻蚀的InP基光学波导结构制备技术发展
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DOI：10.1109/edm.2019.8823278
出版年份：2019
更新时间：2025-09-12 10:27:22
摘要：
本文介绍了在氯气/氩气混合气体中添加氮气和氧气的电感耦合等离子体条件下，对InP基结构进行等离子体刻蚀的工艺开发结果?？淌床捎玫柩谀＝?。文中展示了工艺参数对刻蚀速率、形成元件的形貌及表面粗糙度的影响关系。利用开发的刻蚀工艺制备了光波导结构元件。
作者：
Sergey V. Ishutkin，Vadim S. Arykov，Igor V. Yunusov，Michail V. Stepanenko，Pavel E. Troyan，Yuriy S. Zhidik
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