研究目的
研究硅/多孔硅/非晶硅异质结构中的电流控制开关现象，并基于硅纳米晶体-二氧化硅界面处的俘获载流子提出一种机制。
研究成果
该器件由于硅纳米晶/氧化硅界面处载流子俘获而呈现电流控制开关特性。基于俘获载流子碰撞激发的理论模型与实验结果相符。该器件在低功耗随机存储器应用方面具有潜力。
研究不足
需要进一步研究从微观层面验证所假设的模型。要更好地控制开关电压、电流和电阻变化，实验参数需要更多变化。
1：实验设计与方法选择：
研究涉及制备一种PS层夹在p型硅衬底与n型非晶硅层之间的器件，随后进行I-V特性分析。
2：样品选择与数据来源：
使用电阻率为8欧姆·厘米的p型硅衬底。PS层通过在HF-乙醇电解液中电化学蚀刻合成。
3：实验设备与材料清单：
Avantes（Avaspec-3648）光谱仪、405纳米二极管激光器、PECVD系统、HP源表（安捷伦U3606A）、原子力显微镜（Veeco DI CP II）。
4：实验步骤与操作流程：
PS层合成、通过PECVD沉积n型非晶硅氢层、沉积银和铝层形成欧姆接触、I-V测量。
5：数据分析方法：
分析I-V特性以观察开关行为，基于陷阱电荷对开关机制进行建模。
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HP-source-meter
Agilent-U3606A
Agilent
Recording I-V characteristics of the device
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AFM
Veeco DI CP II
Veeco
Studying structure and surface morphology of the PS layer
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Avaspec-3648 spectrometer
Avaspec-3648
Avantes
Recording PL spectrum of the PS layer
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405nm diode laser
Excitation source for PL spectrum recording
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PECVD system
Deposition of n-type hydrogenated amorphous silicon layer
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