研究目的
利用氧等离子体处理研究循环诱导耐久性失效的HfOx基忆阻器件的恢复。
研究成果
研究表明,氧等离子体处理通过补充额外氧离子,能有效修复循环使用导致的HfOx基阻变器件耐久性失效问题。该方法为解决氧化物基阻变器件的耐久性失效提供了可行方案。
研究不足
该研究聚焦于Pt/HfOx/Pt器件,可能不直接适用于其他材料体系。氧等离子体处理的效果可能因不同器件架构和材料而异。
研究目的
利用氧等离子体处理研究循环诱导耐久性失效的HfOx基忆阻器件的恢复。
研究成果
研究表明,氧等离子体处理通过补充额外氧离子,能有效修复循环使用导致的HfOx基阻变器件耐久性失效问题。该方法为解决氧化物基阻变器件的耐久性失效提供了可行方案。
研究不足
该研究聚焦于Pt/HfOx/Pt器件,可能不直接适用于其他材料体系。氧等离子体处理的效果可能因不同器件架构和材料而异。
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