研究目的
为应对微电子封装行业设备尺寸和厚度不断缩小的挑战,通过开发一种稳健的超快激光划片工艺,在最小化热损伤的同时提高芯片断裂强度。
研究成果
与传统的纳秒工艺相比,超快激光划片工艺在芯片断裂强度方面表现出显著提升,同时热损伤大幅降低。研究还表明,该工艺适用于大规模生产制造,随着飞秒激光技术的进步,其产能有望进一步提升且成本可进一步降低。
研究不足
该研究承认,对于超快激光加工工艺而言,取消?;ね坎愕目尚行圆⒉荒芤桓哦鄣厥视糜谒猩璞咐嘈秃陀τ贸【?,这表明需要根据特定客户需求进行额外评估。
1:实验设计与方法选择:
本研究比较了传统纳秒激光工艺与新型飞秒激光工艺的划片质量和芯片断裂强度,包含针对纳秒和飞秒激光的材料相互作用理论模型。
2:样本选择与数据来源:
采用14nm制程的器件晶圆评估激光划片工艺,通过光学图像、扫描电镜图像及共聚焦显微镜评估划片质量和深度。
3:实验设备与材料清单:
研究使用了ESI与英特尔合作开发的飞秒超快激光平台,摘要中未详述具体设备型号或品牌。
4:实验流程与操作步骤:
工艺包含激光划片后采用刀片切割分离芯片进行分析,评估了波长(紫外/绿光)、重复频率及?;ね坎愣怨ひ罩柿亢筒艿挠跋臁?/p>
5:数据分析方法:
通过光学与扫描电镜成像分析划片质量,测量芯片断裂强度,并采用热建模来理解关键工艺参数的影响。
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