研究目的
研究免形成型氧化钛基存储单元电流-电压特性中的异常交叉现象及其背后的机理。
研究成果
交叉现象与器件活性开关层内氧空位的迁移和积累密切相关。我们的研究结果为揭示氧空位迁移在TiO2/TiOx金属-绝缘体-金属器件电阻开关现象中的作用提供了有趣的见解。
研究不足
本研究仅限于基于二氧化钛的存储单元，未探索其他材料或结构。后续对TiOx基器件的研究值得进一步开展交流与直流电测试。
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缺氧钛氧化物存储单元中的电场调控交叉效应
DOI：10.1016/j.ssc.2019.113718
期刊：Solid State Communications
出版年份：2019
更新时间：2025-09-12 10:27:22
摘要：
在这封信中，我们报道了免形成氧化钛基存储单元电流-电压特性中的一种异常交叉现象。高低阻态转换发生的电压Vcr会随着扫描速率降低、最大扫描电压升高或电流限制值增大而逐渐向更低的偏压方向移动。有趣的是，这种交叉效应在还原氧化基存储单元中并不明显。我们讨论了这些I-V曲线变化背后的机制。
作者：
H.S. Alagoz，M. Davies，Y. Zhong，K.H. Chow，J. Jung
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