研究目的
研究在硅基氮化镓衬底上实现微LED与MOSFET的单片集成，以构建有源矩阵显示器。
研究成果
已证明在硅基氮化镓衬底上实现微LED与MOSFET的单片集成，展现出有源矩阵显示器的应用潜力。需进一步优化器件结构和制造工艺以提升性能。
研究不足
由于台面深度和欧姆接触未优化导致微LED正向电压较高，以及MOSFET中电子迁移率低于典型值。
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基于硅基氮化镓衬底的单片集成微LED显示器
DOI：10.7567/1882-0786/ab64ff
期刊：Applied Physics Express
出版年份：2019
更新时间：2025-09-12 10:27:22
摘要：
提出了一种基于氮化镓-硅衬底的单片微型发光二极管（LED）显示技术。通过将氮化物基LED作为显示像素与硅（Si）薄膜晶体管（TFT）作为驱动电路互连，实现了有源矩阵（AM）显示。在干法刻蚀LED外延层后暴露的Si表面制备了金属氧化物半导体TFT，测得其迁移率为354.3 cm2/Vs，亚阈值摆幅为0.64 V/dec。采用同衬底集成技术，展示了采用60×60像素阵列AM显示的150像素/英寸、0.6英寸单片显示器。
作者：
Jung Hun Choi，Seung Jun Lee，Kyu Oh Kwon，Jae Yong Choi，Taeil Jung，Myungsoo Han，Seung Jun Han
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