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具有高速中红外光响应的晶格失配PbTe/ZnTe异质结构

DOI：10.1021/acsami.9b13154 期刊：ACS Applied Materials & Interfaces 出版年份：2019 更新时间：2025-09-12 10:27:22
摘要： 本工作提出了一种由闪锌矿结构ZnTe与岩盐结构PbTe不同晶格构成的新型异质结构。通过分子束外延法生长了PbTe/ZnTe异质结构。X射线光电子能谱揭示了PbTe/ZnTe异质界面处的一型能带排列。该异质结构界面展现出独特的电学特性?；诖诵滦鸵熘式峁寡兄频母咝阅苤泻焱夤獾缣讲馄鞅硐殖鱿灾南煊Χ?、快速的响应速度和高探测率。这些新型光电探测器利用横向光伏效应，有助于深入理解这种新颖的PbTe/ZnTe异质结构。
作者： Songsong Ma，Kai Li，Hanlun Xu，Jiaqi Zhu，Haiming Zhu，Huizhen Wu
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研究概述 实验方案 设备清单

研究目的

提出一种通过在p型PbTe外延层上覆盖绝缘ZnTe层来构建新型异质结构PbTe/ZnTe，并基于该创新异质结构开发高性能室温横向光伏中红外光电探测器。

研究成果

通过X射线光电子能谱测定带隙偏移，制备了一种新型异质结构PbTe/ZnTe，并揭示了高导电界面反型层的起源。基于该新型异质结构，利用高导电反型层实现了具有极快响应速度的中红外（MIR）横向光伏效应（LPE）。通过在PbTe/ZnTe表面创新性地设计非对称遮光光掩模，首次实现了基于LPE的室温高性能MIR光电探测器，其波长覆盖范围为1.2微米至4.8微米。

研究不足

PbTe/ZnTe液相外延光电探测器的响应度比典型PbTe二极管低约一个数量级，但通过调整光掩模间隙的尺寸和位置仍可将其优化至更高水平。

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