研究目的
研究InGaN量子阱中铟含量对局部击穿现象的影响，并利用局部击穿导电通道开发无n型接触电极的平面型InGaN基LED。
研究成果
当InGaN量子阱的铟含量增加时，LBCC的电阻会降低，从而形成具有更高光输出功率的平面型p-p* LED。然而，仍需进一步研究以降低p-p* LED中LBCC的串联电阻。
研究不足
采用LBCC的p-p* LED的串联电阻仍高于传统n-p LED，这可能会降低发光效率、可靠性等。需要进一步研究如何降低p-p* LED中LBCC的串联电阻。
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具有局部击穿导电通道的高性能平面型InGaN基发光二极管
DOI：10.1038/s41598-019-49727-4
期刊：Scientific Reports
出版年份：2019
更新时间：2025-09-12 10:27:22
摘要：
研究人员利用局部击穿导电通道（LBCC）技术研制出无n型接触电极的平面型InGaN基发光二极管（LED），并探究了InGaN量子阱（QWs）中In含量对局部击穿现象的影响。电致发光与X射线分析表明：随着InGaN QWs中In含量增加，其均匀性与结晶质量下降，导致反向漏电流增大、击穿电压降低。当施加数毫安反向电流时，GaN基LED上会形成LBCC。LED中InGaN QWs的In含量越高，LBCC的表面尺寸与各向异性形态越显著。基于此技术成功开发出无n型电极的平面型InGaN LED。值得注意的是，LBCC电阻随InGaN QWs中In含量增加而降低，这使得无n型接触电极的平面型InGaN基LED具有更低电阻与更强发光性能。
作者：
Seung-Hye Baek，Hyun-Jin Lee，Sung-Nam Lee
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