研究目的
研究AlGaN基深紫外发光二极管中各活性区与带间跃迁的相互作用,以实现TM偏振发射的降低。
研究成果
研究表明,使用极薄的量子阱可获得TE偏振的深紫外光,这有助于提高光提取效率。通过增加极薄量子阱中量子垒的AlN组分,可使发射波长更短。但此类器件必须注意提高电子注入效率。
研究不足
该研究基于数值模拟,而通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)实际生长超薄富铝AlGaN层具有挑战性。对于量子阱极薄的器件,电子注入效率可能较低,需要进一步优化。
研究目的
研究AlGaN基深紫外发光二极管中各活性区与带间跃迁的相互作用,以实现TM偏振发射的降低。
研究成果
研究表明,使用极薄的量子阱可获得TE偏振的深紫外光,这有助于提高光提取效率。通过增加极薄量子阱中量子垒的AlN组分,可使发射波长更短。但此类器件必须注意提高电子注入效率。
研究不足
该研究基于数值模拟,而通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)实际生长超薄富铝AlGaN层具有挑战性。对于量子阱极薄的器件,电子注入效率可能较低,需要进一步优化。
加载中....
您正在对论文“基于AlGaN的深紫外发光二极管中各活性区与带间跃迁的相互作用,以实现TM偏振发射的降低”进行纠错
纠错内容
联系方式(选填)
称呼
电话
单位名称
用途
期望交货周期
称呼
电话
单位名称
用途
期望交货周期