研究目的
研究利用二维材料克服纳米器件中的短沟道效应。
研究成果
过渡金属二硫化物（TMDCs）因具有带隙且迁移率优于硅，在晶体管应用方面具有潜力。研究通过使用图案化硅衬底（其台阶边缘能有效充当晶体成核位点），成功实现了WS?和SnS?的位置可控固源化学气相沉积生长。
研究不足
文章重点指出了制备半导体性石墨烯及实现MOSFET高Ion/Ioff比值的困难，这使得研究人员从石墨烯转向其他二维材料。文中还提及了制备微型化器件及构建源漏极接触的挑战。
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用于纳米器件应用的二维材料：利用激进缩放的晶体管
DOI：10.1109/mnano.2019.2941030
期刊：IEEE Nanotechnology Magazine
出版年份：2019
更新时间：2025-09-12 10:27:22
摘要：
当前纳米器件面临诸多难题，其中之一便是众所周知的短沟道效应（SCEs）。该效应会导致器件特性显著退化。为解决这一问题，自2000年以来学界便开始研究二维材料。本文揭示了针对器件应用开展二维材料研究的动机。
作者：
Kazuhiko Endo，Yasumitsu Miyata，Toshifumi Irisawa
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