研究目的
研究纯感应耦合SF6等离子体中硅各向同性刻蚀的特性，重点关注刻蚀速率、表面粗糙度及各向异性程度。
研究成果
硅的各向同性SF6蚀刻是其他各向同性蚀刻工艺的可行替代方案，其蚀刻速率与XeF2蒸汽蚀刻工艺相当或更快。蚀刻特性强烈依赖于掩模特征，随着沟槽宽度减小，蚀刻速率会降低。
研究不足
该研究聚焦于一组特定的蚀刻参数，并未探究这些参数变化所产生的影响。采用氧化铬掩?？赡芑嵋肫渌谀２牧纤痪弑傅亩钔飧丛有?。
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纯电感耦合SF<sub>6</sub>等离子体中各向同性硅刻蚀特性
DOI：10.1116/1.5116021
期刊：Journal of Vacuum Science & Technology B
出版年份：2019
更新时间：2025-09-12 10:27:22
摘要：
对纯电感耦合SF6等离子体中硅各向同性刻蚀的特性进行了定量研究。由于刻蚀结果强烈依赖于掩模特征，作者同时研究了大面积和窄沟槽的刻蚀特性。采用直径500微米的圆形区域作为未图形化表面的替代样本，通过不同刻蚀时长测定材料刻蚀速率与表面粗糙度，发现选定工艺配方的平均刻蚀速率为2.27微米/分钟。此外还刻蚀了宽度8至28微米的窄沟槽阵列，以分析沟槽尺寸对刻蚀速率和各向异性程度的影响，结果表明沟槽刻蚀速率随宽度减小而显著降低。研究证实，各向同性SF6刻蚀可便捷替代XeF2等特殊硅气相刻蚀化学工艺。
作者：
Parashara Panduranga，Aly Abdou，Zhong Ren，Rasmus H. Pedersen，Maziar P. Nezhad
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