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III-V族太阳能电池的非外延载流子选择性接触：综述

DOI：10.1016/j.apmt.2019.100503 期刊：Applied Materials Today 出版年份：2019 更新时间：2025-09-12 10:27:22
摘要： 过去几年中，载流子选择性接触已成为降低传统掺杂p-n结太阳能电池复杂性和损耗的手段。然而与硅、钙钛矿、硫属化合物等其他光伏材料相比，III-V族太阳能电池的这一研究领域仍处于起步阶段。这可能是因为通过MOCVD（金属有机化学气相沉积）和MBE（分子束外延）等外延生长技术相对容易获得高质量的III-V族太阳能电池材料。但当前外延生长的III-V族太阳能电池成本极高，难以参与地面市场竞争，因此研究人员正在开发薄膜气-液-固（TF-VLS）、氢化物气相外延（HVPE）和闭空间气相传输（CSVT）等替代生长方法，这些方法的成本远低于外延III-V族太阳能电池。不过目前这些较新的低成本生长技术在制备可控p-n结以及重掺杂窗口层和背场层时仍面临严重的优化难题，在此情况下载流子选择性接触能发挥巨大优势。本综述将介绍III-V族太阳能电池应用载流子选择性接触的最新研究成果，并探讨其未来前景、挑战及采用该技术的新型器件概念。
作者： Vidur Raj，Hark Hoe Tan，Chennupati Jagadish
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研究概述 实验方案 设备清单

研究目的

回顾III-V族太阳能电池中载流子选择性接触的应用，重点介绍最新研究进展、未来前景、挑战及新型器件概念。

研究成果

载流子选择性接触在未来III-V族太阳能电池应用中具有巨大潜力，为传统掺杂结提供了一种经济高效的替代方案。然而，界面缺陷密度等挑战以及进一步研究和优化的需求仍然存在。

研究不足

该研究受限于III-V族太阳能电池与其他材料相比载流子选择性接触技术尚处初期阶段、外延生长III-V太阳能电池成本高昂，以及低成本生长方法的优化难题。

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