研究目的
开发具有成本效益、可扩展且高质量的六方氮化硼（h-BN）层生长技术，重点研究体相溶解物质在h-BN化学气相沉积中的作用以及溶解氧与碳的平衡。此外，改进原位生长h-BN从铁基底表面的转移工艺，并展示其作为集成（光）电子器件制造中石墨烯?；げ愕挠τ?。
研究成果
该研究成功开发出一种经济高效、可扩展且高质量的水平氮化硼（h-BN）层生长技术，证明了体相溶解物质在h-BN化学气相沉积（CVD）中的重要作用。改进的转移方法以及将h-BN作为石墨烯?；げ愕挠τ茫瓜粤似湓诩桑ü猓┑缱悠骷圃熘械那绷?。
研究不足
该过程需要仔细控制铁箔中溶解氧与碳的平衡。虽然转移方法有所改进，但仍面临与h-BN和铁表面强相互作用相关的挑战。
1：实验设计与方法选择：
采用铁箔作为催化化学气相沉积（CVD）制备h-BN的材料，重点研究体相溶解物质的作用。
2：样品选择与数据来源：
使用商用多晶铁箔，经清洁后直接使用或氧化处理。
3：实验设备与材料清单：
定制冷壁CVD系统，配备碳化硅涂层石墨加热器，以环硼氮烷为h-BN前驱体，并使用多种气体（氩气、氨气、氢气）。
4：实验步骤与操作流程：
包括铁箔生长前预处理、在选定气体氛围中退火、引入环硼氮烷进行h-BN生长以及快速冷却。
5：数据分析方法：
光学显微镜、拉曼光谱、选区电子衍射（SAED）、飞行时间二次离子质谱（ToF-SIMS）、能量色散X射线光谱（EDX）和扫描电子显微镜（SEM）。
独家科研数据包，助您复现前沿成果，加速创新突破
获取完整内容-
Fe foils
Goodfellow
Used as catalytic substrates for the CVD growth of h-BN.
-
SiC-coated graphite heater
Used in the custom cold-wall CVD system for heating.
-
borazine
Fluorochem
Used as the h-BN precursor in the CVD process.
-
mass flow controller
MKS
Used to control the flow of borazine into the chamber.
-
poly(bisphenol-A-carbonate)
Used as a temporary polymer support for h-BN transfer.
-
TEM grids
Agar Scientific
Used to pick up the PMMA/h-BN for TEM analysis.
-
polymethyl methacrylate
A4
MicroChem
Used as a support for h-BN during transfer to TEM grids.
-
trimethylaluminium
Used as a precursor for PEALD of alumina.
-
登录查看剩余6件设备及参数对照表
查看全部
