研究目的
为了展示基于绝缘体上硅(SOI)平台的首批波导式测辐射热计在中红外(MIR)波长下的应用,采用等离子体天线作为吸收元件。
研究成果
首次展示了基于第四族材料集成波导的中红外测辐射热计。通过采用不同的设计几何结构,在3.8微米波长和20赫兹斩波频率下,灵敏度从0.68%/毫瓦提升至0.80%/毫瓦,3分贝带宽从142赫兹提高到1千赫兹以上。这些器件展现出作为全第四族材料波导中红外传感探测器的巨大潜力。
研究不足
测辐射热计下方的二氧化硅层显著增加了热导率,导致大量热量损失。频率响应测量受限于最大斩波频率为1千赫兹。