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[2019年IEEE第16届第四组光子学国际会议(GFP) - 新加坡，新加坡(2019.8.28-2019.8.30)] 2019年IEEE第16届第四组光子学国际会议(GFP) - 用于混合III-V/Si激光器的CMOS兼容Ti/n-InP和Ti/p-InGaAs欧姆接触的可靠性

DOI：10.1109/group4.2019.8853902 出版年份：2019 更新时间：2025-09-16 10:30:52
摘要： 介绍了在300毫米晶圆工具上制备的与CMOS工艺兼容的钛接触层在n型InP和p型In0.53Ga0.47As材料上的电学特性，这些研究旨在将其集成应用于III-V族/硅混合激光器领域。重点考察了以下三个阶段的电学行为：i) 工艺处理阶段；ii) 集成与后道制程阶段；iii) 多次模拟激光器使用阶段。
作者： F. Boyer，C. Jany，J. Da Fonseca，B. Szelag，V. Amalbert，M. Grégoire，Q. Rafhay，Ph. Rodriguez
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研究概述 实验方案 设备清单

研究目的

研究Ti/n-InP和Ti/p-InGaAs接触在300毫米平台上集成于III-V/Si混合激光器中的可靠性。

研究成果

研究表明，在测试条件下Ti/n-InP和Ti/p-InGaAs接触界面均保持稳定——Ti/n-InP体系在200至450°C范围内稳定，Ti/p-InGaAs体系在300至450°C范围内稳定。集成工艺、后道工序流程以及多次激光器使用模拟均未导致其接触电阻率恶化。

研究不足

本研究仅限于n型磷化铟和p型砷化镓铟上钛接触的电气特性，重点考察其在特定条件下的可靠性。潜在优化方向包括进一步将接触电阻率降至5×10?? Ω·cm2上限值以下。

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