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[2019年IEEE第69届电子元件与技术会议（ECTC）- 美国内华达州拉斯维加斯（2019.5.28-2019.5.31）] 2019年IEEE第69届电子元件与技术会议（ECTC）- 面向先进"3.5D"芯片封装的垂直激光辅助键合技术

DOI：10.1109/ectc.2019.00039 出版年份：2019 更新时间：2025-09-16 10:30:52
摘要： 本工作将激光辅助键合（LAB）工艺与热压键合（TCB）进行对比，分析了两者在倒装芯片堆叠组装中的优缺点。研究发现，LAB具有更快的加工速度、可忽略的压缩力，并在芯片堆叠中产生更小的内部应力。文中提出了"3.5D"堆叠新概念，该技术可实现芯片/半导体与芯片堆叠侧面的垂直键合。通过垂直键合部件可直接实现层间互连，从而无需单独设置硅通孔（TSVs）。
作者： Andrej Kolbasow，Timo Kubsch，Matthias Fettke，Georg Friedrich，Thorsten Teutsch
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研究概述 实验方案 设备清单

研究目的

比较倒装芯片堆叠组装中的激光辅助键合（LAB）与热压键合（TCB）工艺，并引入"3.5D"堆叠概念——实现芯片/半导体在芯片堆叠侧面的垂直键合。

研究成果

与TCB相比，LAB工艺展现出更优异的性能、灵活性和速度，在IMC层形成和抗老化能力方面效果更佳，同时降低了芯片堆叠的内部应力。所提出的"3.5D"堆叠概念实现了垂直芯片键合，有望消除TSV需求，并支持更高堆叠层数与更多功能集成。

研究不足

该研究承认需要进一步进行可靠性测试，以更全面地探究LAB工艺中形成的IMC层。此外，TCB工艺可能还需要进一步优化以实现适当的IMC形成。

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