研究目的
研究利用封装在六方氮化硼(h-BN)中的非对称双栅极石墨烯场效应晶体管(FETs)检测太赫兹辐射，以提高载流子迁移率并避免基底相互作用。
研究成果
这种人工制造的不对称双栅极石墨烯场效应晶体管在4K至室温范围内，于太赫兹辐射下展现出清晰的光电流，证明了其作为高效太赫兹探测器的潜力——无需直流电流或电压偏置即可工作。
研究不足
光电流强度随温度升高而降低，表明其在高温应用中可能存在局限性。
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[IEEE 2019年第44届国际红外、毫米波及太赫兹波会议(IRMMW-THz) - 法国巴黎(2019年9月1日-2019年9月6日)] 2019年第44届国际红外、毫米波及太赫兹波会议(IRMMW-THz) - 基于非对称双栅极石墨烯的太赫兹探测器
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[IEEE 2019年第44届国际红外、毫米波及太赫兹波会议(IRMMW-THz) - 法国巴黎(2019年9月1日-2019年9月6日)] 2019年第44届国际红外、毫米波及太赫兹波会议(IRMMW-THz) - 基于非对称双栅极石墨烯的太赫兹探测器
DOI：10.1109/irmmw-thz.2019.8873834
出版年份：2019
更新时间：2025-09-16 10:30:52
摘要：
我们报道了利用非对称双栅极石墨烯场效应晶体管检测太赫兹辐射的研究。该石墨烯薄片夹在两层六方氮化硼（h-BN）之间，以避免与衬底相互作用并提高载流子迁移率。在上层h-BN顶部加工了非对称双金属栅极。当器件受到0.15和0.3太赫兹频率的太赫兹辐射激发时，在4K至室温范围内均观测到清晰的光电流。
作者：
J.A. Delgado-Notario，V. Clericò，E. Diez，J.E. Velázquez-Pérez，T. Taniguchi，K. Watanabe，T. Otsuji，Y.M. Meziani
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