研究目的
研究硅锗合金制成的光电探测器的光电特性，重点关注导电机制、激活能、光电导率、探测率和霍尔测量。
研究成果
非晶硅和锗的使用是光电探测器制造中一种具有成本效益的替代方案。该研究证实了泊松-弗伦克尔型导电机制、激活能与锗含量的依赖关系，以及随着锗含量增加而改善的光电性能。锗含量较高的样品显示出更好的二极管效应和探测率。
研究不足
本研究仅限于采用热真空蒸发技术制备的非晶硅锗光电探测器的调查。未探究不同制备技术和材料的影响。
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传感器、电路与仪器系统（2018）|| 非晶硅锗光电探测器光电特性研究
DOI：10.1515/9783110592566-006
出版年份：2019
更新时间：2025-09-16 10:30:52
摘要：
开发电子设备的成本考量至关重要。降低光伏器件和探测器生产成本的一个简单方法是采用非晶硅和锗等低成本材料。这两种半导体具有不同的光电特性，如能隙、光电导率和吸收系数。通过将硅与特定比例的锗混合形成合金，可制备出具有更优电子特性和光电导率的探测器。采用热真空蒸发技术制备了多种不同锗含量的非晶硅锗合金薄膜，计算并分析了样品的导电机制与激活能。对这些样品的I-V特性、光生电流及探测率进行了测量与讨论，并通过霍尔测量计算了样品的霍尔I-V特性、霍尔迁移率、载流子浓度及类型鉴定。
作者：
Wagah F. Mohamad，Munther N. Al-Tikriti
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