研究目的
研究太赫兹波段中嵌入Ga1-yAlyAs基质的GaAs量子点的线性和三阶非线性光学特性。
研究成果
研究得出结论：砷化镓量子点在太赫兹区域的线性和非线性光学特性显著受到量子点尺寸及入射辐射强度的影响。这些发现对太赫兹技术应用具有重要价值。
研究不足
该研究侧重于理论建模，未提供实验验证。虽然探讨了点尺寸和入射辐射强度等参数变化的影响，但未讨论实际制造和测量方面的挑战。
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砷化镓量子点在太赫兹区域的线性和三阶非线性光学特性
DOI：10.1016/j.physe.2019.113913
期刊：Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures
出版年份：2019
更新时间：2025-09-16 10:30:52
摘要：
我们研究了嵌入Ga1-yAlyAs基质中的GaAs量子点的电子和光学特性。采用有限约束势的有效质量近似法，获得了带内能级和波函数。针对太赫兹波段不同量子点半径，研究了线性和三阶非线性光学特性、光吸收系数、折射率变化及极化率。
作者：
Sukanya Nasa，S.P. Purohit
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