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采用双层纳米压印光刻结合反馈控制电迁移技术制备的单分子电子学纳米级结点

DOI:10.1088/1361-6528/ab6473 期刊:Nanotechnology 出版年份:2019 更新时间:2025-09-16 10:30:52
摘要: 采用双层纳米压印光刻结合反馈控制电迁移技术制备单分子电子学纳米级结点。纳米压印光刻(NIL)是一种快速、简易且高通量的技术,能以低成本制造具有纳米级精度特征的结构。我们提出一种先进的双层纳米压印光刻方法,用于制备四端纳米结器件以开展单分子电子学研究。本工作第一部分,我们展示利用双层抗蚀剂技术的NIL剥离工艺,该工艺解决了剥离过程中金属侧壁撕裂的问题。除精确复制纳米级特征外,我们还证明在保持双层结构的同时可实现微米级特征压印,从而形成底切抗蚀剂结构——这通过选择合适的压印参数以及残余层刻蚀深度和显影时间实现。随后我们采用反馈控制电迁移工艺制备出室温稳定的纳米间隙电极(尺寸小于2纳米)。该方法有助于将分子集成至稳定的固态分子电子器件中,如将苯硫酚作为分子桥连接电极并通过电流-电压测量表征其电学特性。在多次I-V扫描中证实了分子输运特征:低电压时I-V曲线出现电流抑制现象,高电压时该抑制解除,表明随电压变化存在分子能级的共振与非共振输运。过渡电压谱中较大的电导率、I-V扫描对称性以及较小的电压极小值,均显示两个苯硫酚分子通过π-堆叠方式桥接。
作者: Alex Gee,Ayoub H Jaafar,Neil T Kemp
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研究概述 实验方案 设备清单

提出一种先进的双层纳米压印光刻方法,用于制备四端纳米结器件以开展单分子电子学研究,并展示分子在稳定固态分子电子器件中的集成。

该研究成功展示了一种双层纳米压印光刻技术,用于制备单分子电子学的纳米级结点,能够同时复制纳米和微米尺度的特征结构。通过反馈控制的电迁移工艺,制备出尺寸小于2纳米的稳定纳米间隙电极,从而实现了苯硫酚分子作为分子桥的集成。观测到的分子输运特征证实了分子结的成功形成,其中高电导率和I-V扫描曲线的对称性表明苯硫酚分子间存在π-堆积作用。

该研究承认电迁移断开结中热失控的挑战,这可能导致过大且不可控的间隙尺寸。该过程还需要仔细控制压印参数和显影时间,以避免缺陷并确保成功剥离。

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