研究目的
研究并比较采用传统光刻技术制造的二元衍射光学元件与利用As2S3层中光致折射率变化制造的二元衍射光学元件。
研究成果
研究表明，传统光刻技术和As2S3层中的光致折射率变化都是制造高性能衍射光学元件的有效方法，两种方法观察到的衍射效率相似。
研究不足
该研究聚焦于二元衍射光学元件，未深入探讨多级结构元素。比较仅限于效率和性能指标，未对潜在应用或可扩展性进行广泛分析。
1：实验设计与方法选择：
本研究采用迭代傅里叶变换算法设计二元衍射光学元件，并通过两种方法制备：传统光刻法和As2S3层中的光致折射率变化法。
2：样品选择与数据来源：
衍射光学元件设计用于获得特定相位图案，样品在洁净室中制备——光刻法使用正性光刻胶，光致法使用电子束沉积的As2S3层。
3：实验设备与材料清单：
定制步进光刻系统、As2S3层电子束沉积设备、532纳米激光曝光光源及特定图案振幅掩模。
4：实验流程与操作步骤：
光刻过程采用正性光刻胶和定制步进系统；光致法通过振幅掩模使As2S3层接受激光曝光。
5：数据分析方法：
建立表征装置测量衍射效率与性能，重点分析一级衍射/零级衍射与非调制光束的强度比。
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custom stepper system
Used in the lithography process for fabricating DOEs.
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e-beam deposition system
Used for depositing As2S3 layers for the photo-induced method.
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laser beam
@ 532 nm
Used for exposing As2S3 layers through an amplitude mask.
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amplitude mask
Used to pattern the laser beam for exposing As2S3 layers.
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