研究目的
研究p-n结处内建电场对伽马射线辐照下双AlGaAs异质结构红外发光二极管电阻的影响。
研究成果
p-n结处的内置电场会影响红外发光二极管（IR-LED）对伽马射线辐照的耐受性，其中空间电荷区比中性区的缺陷引入率更高。在存储期间缩短LED引脚可以提高其对伽马射线辐照的耐受性。
研究不足
该研究仅限于伽马射线对AlGaAs异质结构红外发光二极管的影响，未涉及其他类型的电离辐射或半导体材料。研究结果基于实验的特定条件，需进一步研究才能推广结论。
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伽马射线辐照下P-N结内建电场对Ir-LED电阻的影响
DOI：10.4028/www.scientific.net/amm.770.522
期刊：Applied Mechanics and Materials
出版年份：2015
更新时间：2025-09-16 10:30:52
摘要：
已知向砷化镓和磷化铟二极管的肖特基势垒中引入辐射缺陷的速率与电场的存在有关。本研究的主要目的是探究p-n结内建电场对伽马射线辐照下双AlGaAs异质结构红外发光二极管电阻的影响。研究发现，在p-n结存在内建电场或反向偏压的情况下，缺陷引入速率显著低于无电场中性区域的缺陷引入速率。随后探讨了提高红外发光二极管抗辐射性能的可能途径。
作者：
A.V. Gradoboev，V.V. Sednev
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