研究目的
研究硅基正-本征-负（PIN）光电二极管在毫秒脉冲激光辐照下的性能，包括不同偏置电压、能量密度和脉冲宽度下输出电流的时间分布。
研究成果
毫秒激光照射下PIN光电二极管的输出电流过程可分为三个阶段：光生电流阶段、导通阶段和恢复阶段。仿真结果与实验结果一致，为光电二极管在某些领域的进一步应用提供了依据。
研究不足
该研究聚焦于硅基PIN光电二极管中由毫秒激光诱导的在线输出电流，未对永久性损伤机制或长期性能退化进行详细探究。
1：实验设计与方法选择：
本研究基于光电效应，建立了1064纳米毫秒脉冲激光照射硅基PIN光电二极管输出电流的物理模型。
2：样品选择与数据来源：
所研究的PIN光电二极管具有P+-I-N+三层结构。
3：实验设备与材料清单：
使用重复频率为10赫兹的1064纳米Q开关Nd:YAG激光器作为激光源。
4：实验步骤与操作流程：
激光经过能量衰减器和分束器，反射部分由能量计检测，透射部分通过聚焦透镜汇聚。
5：数据分析方法：
计算不同条件下的输出电流并与实验结果进行对比。
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获取完整内容-
Q-switched Nd: YAG laser
1064 nm
Used as the laser source for irradiating the silicon-based PIN photodiode.
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Energy attenuator
Used to adjust the energy density of the laser beam.
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Beam splitter
Used to split the laser beam for energy measurement and focusing.
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Energy meter
Used to detect the reflecting part of the laser beam for energy measurement.
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Converging lens
Used to focus the transmitting part of the laser beam onto the photodiode.
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