研究目的
绘制分级CST/CdTe器件中硒的三维分布图，并理解其在合金化CdTe器件中的行为。
研究成果
高分辨率三维二次离子质谱测量显示，硒从CdSeTe层显著向CdTe层发生互扩散，主要沿晶界向上扩散，随后向外扩散至晶粒边缘。这一现象对晶界及晶粒间的能带弯曲具有重要影响，并可能影响晶界钝化效果——这对理解和进一步提升高效CdSeTe器件性能至关重要。
研究不足
由于孔洞边缘存在择优溅射速率以及溅射表面不平整导致重建图像失真，使得对重建横截面图像的解读较为困难。
1：实验设计与方法选择：
使用NanoSIMS 50对表面约10×10微米区域进行高分辨率二次离子质谱（SIMS）测量。通过16 keV Cs+束扫描表面产生负二次离子，并采用双聚焦质谱仪进行分析。
2：样品选择与数据来源：
在科罗拉多州立大学通过近空间升华法（CSS）制备了高效CdSeTe/CdTe双层器件。
3：实验设备与材料清单：
NanoSIMS 50（法国CAMECA公司）、用于抛光的聚焦离子束（FIB）、用于器件制备的近空间升华法（CSS）。
4：实验步骤与操作流程：
FIB抛光后进行SIMS测量。数据处理采用ImageJ配合OpenMIMS插件，三维重建使用AVIZO软件完成。
5：数据分析方法：
通过数据立方体分析器件中硒和氯的分布情况。
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获取完整内容-
NanoSIMS 50
50
CAMECA
High-resolution secondary ion mass spectrometry measurements
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FIB
Polishing the back surface of the CdTe layer
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CSS
Fabrication of the CdSeTe/CdTe bilayer device
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ImageJ with the OpenMIMS plugin
Harvard
Data processing
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AVIZO
3-D reconstruction
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