研究目的
利用HfSe2可饱和吸收器和空间光调制器研究被动调Q光纤激光器中高阶模脉冲光束的产生。
研究成果
该研究成功展示了一种被动调Q光纤激光器，其采用二碲化铪（HfSe2）作为可饱和吸收体并结合空间光调制器（SLM）进行相位调制，能够产生高阶拉盖尔-高斯（LG）模式脉冲。该激光器具有宽范围的重复频率和脉冲持续时间，在光通信和光学捕获领域具有潜在应用价值。
研究不足
HfSe2-SA的非饱和损耗以及环形腔中标准器件的插入损耗导致斜率效率较低。必须仔细控制加载到单纵模上的Q开关脉冲的峰值功率以避免损坏。
1：实验设计与方法选择：
该实验采用被动调Q光纤激光器装置，以二硒化铪（HfSe2）作为可饱和吸收体，并利用空间光调制器（SLM）产生高阶拉盖尔-高斯光模。
2：样品选择与数据来源：
通过机械剥离法获取块状二硒化铪薄片作为可饱和吸收体。使用示波器、光谱分析仪和射频谱分析仪对激光输出特性进行分析。
3：实验设备与材料清单：
该装置包含单模掺镱光纤、980纳米激光二极管、波分复用器、偏振无关隔离器、偏振控制器、熔融光纤耦合器、准直器、偏振片、空间光调制器及CCD相机。
4：实验流程与操作步骤：
通过调节泵浦功率并优化激光偏振态实现调Q运转，利用空间光调制器对基模脉冲进行调制以产生高阶光模。
5：数据分析方法：
采用高斯拟合分析调Q脉冲特性，并通过光强分布测量评估高阶光模性能。
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