研究目的
研究反型异质结(Al)GaInP太阳能电池的设计与效率，以提高其在高倍聚光条件下的性能。
研究成果
采用低带隙发射极和高带隙基区的反向异质结设计，能有效平衡高光电流、高电压和低串联电阻的需求，尤其适用于高压聚光电池。该设计在多结器件中的效率优势会随结数增加而提升。
研究不足
该研究聚焦于反向异质结太阳能电池的设计与初步表征，其在可扩展性及多结器件集成方面可能存在局限性。掺杂剂扩散和界面复合对器件性能的影响需进一步优化。
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反向异质结(Al)GaInP太阳能电池提升聚光效率
DOI：10.1109/JPHOTOV.2019.2957644
期刊：IEEE Journal of Photovoltaics
出版年份：2019
更新时间：2025-09-16 10:30:52
摘要：
降低串联电阻对于聚光太阳能电池在高电流密度下的效率至关重要。传统的III-V族多结电池顶结AlGaInP结构设计，在串联电阻与电流收集及电压之间面临艰难权衡。本文探讨了一种反向异质结太阳能电池的物理原理，该设计通过结合高带隙Al0.18Ga0.33In0.49P基区和低带隙(Al)GaInP发射区来改善这一权衡。与高带隙同质结电池相比，发射区的高迁移率使其具有相对较低的串联电阻。电致发光光谱显示发射区和基区均存在发射峰，使得开路电压并非严格受控于任一单层。随着单结电压升高，反向异质结设计的优势愈发显著。
作者：
Myles A. Steiner，Ryan M. France，Emmett E. Perl，Daniel J. Friedman，John Simon，John F. Geisz
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