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GaN/AlN/GaN结构作为高强度热释电激光传感器的性能

DOI：10.1070/QEL16917 期刊：Quantum Electronics 出版年份：2019 更新时间：2025-09-16 10:30:52
摘要： 提出采用透明Al2O3/GaN/AlN/GaN结构作为高温计传感器来测量高强度激光脉冲参数。分析了此类传感器在激光聚变装置中的应用特性。针对GaN两层结构的不同参数，获得了脉冲后吸收能量密度的分布情况。在总吸收能量不变的前提下，通过调节施主浓度比及其厚度比，使这些分布的局部最大值最小化。从降低激光冲击对热释电系数稳定性可能产生的负面影响角度，确定了最优结构配置方案。
作者： E.A. Panyutin，M.L. Shmatov
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研究概述 实验方案

研究目的

研究将GaN/AlN/GaN结构用作高能激光脉冲参数测量的高温电激光传感器，应用于激光聚变装置中。

研究成果

研究表明，透明的Al2O3/GaN/AlN/GaN结构可有效用作激光聚变装置中测量高强度激光脉冲的测温传感器。研究确定了最佳结构配置方案，以最大限度减小激光冲击对热释电系数稳定性的负面影响。

研究不足

该研究聚焦于采用GaN/AlN/GaN结构进行高强度激光脉冲测量，特别关注如何最小化吸收能量密度分布的局部极大值。其局限性包括结构构型需进一步优化，以及激光冲击可能对热释电系数稳定性产生负面影响。

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