研究目的
通过解决扩散问题以实现均匀的方块电阻,优化硼旋涂掺杂剂(BSoD)作为n型太阳能电池中p+发射极形成的替代硼源的使用。
研究成果
BSoD扩散发射极通过受控工艺步骤可实现≤60Ω/□的方阻值,在n型太阳能电池应用中展现出良好前景。去除BRL层能提升少数载流子寿命,PC1D模拟显示其潜在效率可达14.8%,表明BSoD可作为BBr3的可行替代方案。
研究不足
该研究聚焦于无纹理且未进行介电钝化的裸发射极表面,表明通过这些改进措施有望进一步提升效率。
研究目的
通过解决扩散问题以实现均匀的方块电阻,优化硼旋涂掺杂剂(BSoD)作为n型太阳能电池中p+发射极形成的替代硼源的使用。
研究成果
BSoD扩散发射极通过受控工艺步骤可实现≤60Ω/□的方阻值,在n型太阳能电池应用中展现出良好前景。去除BRL层能提升少数载流子寿命,PC1D模拟显示其潜在效率可达14.8%,表明BSoD可作为BBr3的可行替代方案。
研究不足
该研究聚焦于无纹理且未进行介电钝化的裸发射极表面,表明通过这些改进措施有望进一步提升效率。
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