研究目的
研究低强度光照下Ge/Si异质结构中电子与空穴空间分离的锗量子点的极化率。
研究成果
研究表明,在低强度光照下,锗硅异质结构中的锗量子点相比典型半导体具有显著更高的振子强度、跃迁偶极矩和极化率。这表明其在光电子学领域,特别是红外光谱区域具有潜在应用价值。
研究不足
该研究未考虑激子-声子相互作用,这可能影响激子的动能谱和寿命。此外,理论模型可能无法完全涵盖所有实验条件以及量子点尺寸和形状的变化。
研究目的
研究低强度光照下Ge/Si异质结构中电子与空穴空间分离的锗量子点的极化率。
研究成果
研究表明,在低强度光照下,锗硅异质结构中的锗量子点相比典型半导体具有显著更高的振子强度、跃迁偶极矩和极化率。这表明其在光电子学领域,特别是红外光谱区域具有潜在应用价值。
研究不足
该研究未考虑激子-声子相互作用,这可能影响激子的动能谱和寿命。此外,理论模型可能无法完全涵盖所有实验条件以及量子点尺寸和形状的变化。
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