研究目的
通过耦合CuO纳米结构研究ZnO纳米棒阵列/p-GaN自供电紫外光电探测器光响应性能的增强。
研究成果
ZnO纳米棒阵列/氧化铜钙钛矿层/ p-GaN异质结构展现出稳定且可重复的自供电光响应性能，其表现显著优于ZnO纳米棒阵列/p-GaN异质结光电探测器。与氧化铜钙钛矿层的耦合提升了响应度和比探测率，并缩短了响应时间，表明其在高性能自供电紫外光电探测器领域具有重大应用潜力。
研究不足
该研究聚焦于通过与CuO CLNs耦合来提升光响应性能，但未探究制备工艺的可扩展性以及器件在连续运行下的长期稳定性。
1：实验设计与方法选择：
本研究采用低温水热法制备ZnO纳米棒阵列（NRAs）与CuO纳米片层（CLNs）耦合结构，并通过直接接触法构建基于ZnO NRAs/CuO CLNs/p-GaN异质结构的自供电紫外光电探测器（PDs）。
2：样品选择与数据来源：
以氟掺杂氧化锡（FTO）玻璃作为ZnO NRAs的衬底，p-GaN晶圆用于器件组装。
3：实验设备与材料清单：
场发射扫描电镜（SU8010，日立）、X射线衍射仪（D8 Advance，布鲁克AXS）、透射电镜（Tecnai G2 F20，FEI）、源表测试仪（Keithley 2450）、紫外LED（365 nm，CEL-LED 100HA，北京中教金源科技有限公司）。
4：0）、紫外LED（365 nm，CEL-LED 100HA，北京中教金源科技有限公司）。 实验流程与操作步骤：
4. 实验流程与操作步骤：包括FTO衬底清洗、溶胶-凝胶法制备ZnO种子层、水热生长ZnO NRAs、CuO CLNs制备、器件组装及表征。
5：数据分析方法：
研究紫外PDs的光响应特性与电流-电压（I-V）特性，并通过能带图探讨其工作机理。
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TEM
Tecnai G2 F20
FEI
Determination of the morphology and crystalline structure
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Keithley 2450
Keithley
Recording of the I-V curves and photoresponse properties of the devices
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SU8010
Hitachi
Investigation of the morphology of the samples
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XRD
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Beijing China Education Au-light Co., Ltd
UV light source system with tunable output power
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