研究目的
研究单量子点与耦合量子点的纤锌矿(WZ)型InGaN/GaN量子点(QD)结构的发光特性，以理解耦合量子点插入对辐射复合概率的影响。
研究成果
耦合量子点结构的峰值强度远大于单量子点结构，这是因为电子-空穴间带间跃迁概率因内部电场减弱而增强。耦合量子点阱中的应变分量小于单量子点结构阱中的应变分量，其中(zz)方向应变的减小占主导地位。
研究不足
该研究是理论性的，依赖于模拟，可能无法完全捕捉所有现实世界的物理现象。需要实验验证来确认这些发现。
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耦合量子点插入对纤锌矿InGaN/GaN量子点辐射复合概率的影响
DOI：10.3938/jkps.76.55
期刊：Journal of the Korean Physical Society
出版年份：2020
更新时间：2025-09-16 10:30:52
摘要：
采用有效质量理论研究了单结与耦合纤锌矿(WZ)InGaN/GaN量子点(QD)结构的发光特性。研究发现，耦合量子点阱中的应变分量小于单量子点结构阱中的应变分量。其中，(cid:2)zz分量的降低效应尤为显著，导致耦合量子点的应变张量(cid:2)zz对应的极化分量Izz大幅减小。由于内部电场减弱使电子-空穴间带间跃迁概率增强，耦合量子点结构展现出比单量子点结构显著更强的峰值发光强度。
作者：
Seoung-Hwan Park，Doyeol Ahn
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