研究目的
研究Si衬底上CdTe/ZnTe双量子点(DQDs)中ZnTe隔离层厚度对光致发光(PL)动力学的影响。
研究成果
该研究表明,DQD结构有效提升了载流子收集极限及相应单层量子点的热稳定性。离散态与连续态之间由电学和限制效应引起的混合导致DQD直接激子跃迁发生蓝移,进而增强了DQD的PL强度。高温下的主要热逃逸过程由多声子辅助完成。
研究不足
该研究仅限于ZnTe隔离层厚度对硅衬底上CdTe/ZnTe双量子点PL动力学的影响,未考察其他隔离层或衬底的影响。
研究目的
研究Si衬底上CdTe/ZnTe双量子点(DQDs)中ZnTe隔离层厚度对光致发光(PL)动力学的影响。
研究成果
该研究表明,DQD结构有效提升了载流子收集极限及相应单层量子点的热稳定性。离散态与连续态之间由电学和限制效应引起的混合导致DQD直接激子跃迁发生蓝移,进而增强了DQD的PL强度。高温下的主要热逃逸过程由多声子辅助完成。
研究不足
该研究仅限于ZnTe隔离层厚度对硅衬底上CdTe/ZnTe双量子点PL动力学的影响,未考察其他隔离层或衬底的影响。
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